学术报告:太阳能利用技术发展趋势

报告:太阳能利用技术发展趋势
报告: 褚君浩 院士
单位: 中国科学院上海技术物理研究所,华东师范大学
时间:2011.11.21 ,周一, 下午 2:30-3:30
地点:学术活动中心307房间

报告人简介及摘要:
褚君浩院士是我国半导体物理和器件专家,中国科学院上海技术物理研究所研究员,
华东师范大学信息学院 院长。
1945年3月生于江苏宜兴。1966年毕业于上海师范学院物理系,1981年和1984年先后
获得中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位。现任中国科学院上海技术物理
研究所科技委副主任,华东师范大学-上海技术物理研究所成像信息联合实验室负责人,
《红外与毫米波学报》主编,上海太阳能电池研发中心主任,第十届全国人大代表。

褚君浩院士长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红探测器的窄禁半导体
碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽等关系式,
被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合;建立了研究窄禁带半导
体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型;发现了HgCdTe的基本光电跃迁特性,
确定了材料器件的光电判别依据;开展了铁电薄膜材料物理和非冷红外探测器研究,
研究成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像,为我国物理科学和
研究作出了重大贡献。