仪器名称：立式化学气相沉积（SiC）系统
仪器型号：VCVD-0305-SiC
设备简介：
1.该设备为立式结构，设备由炉体系统、加热保温系统、沉积室系统、真空系统、副产物收集系统、尾气处理系统、工艺气路系统、气动系统、循环冷却水系统、操作平台和电气控制系统等部分组成。 2.可调节工艺，实现化学气相渗透 (CVI)和化学气相沉积 (CVD)两种工艺路线，能够制备性能稳定的SiC基体和SiC涂层。 3. 也可进行不通气的低真空（100Pa以内）的样品热处理，最高温度可达1500℃。 4.设备运行气氛为：MTS、氩气和氢气；运行温度范围：900-1300℃，运行压力：100pa-5000pa 内可调节。
技术指标：
本设备工作区尺寸为300mmx500mm（DxH），最高工作温度可达1500℃，在工作区域内温度均匀性可保持在±5℃以内；其真空性能优异，极限真空度不超过60Pa，工作真空度可在1000Pa至5000Pa范围内稳定运行，且空炉冷态压升率不高于2Pa/h，整体满足高温高均匀性及高真空稳定性的要求。
主要功能：
可调节工艺，实现化学气相渗透 (CVI)和化学气相沉积 (CVD)两种工艺路线，能够制备性能稳定的SiC基体和SiC涂层。
应用领域：
该设备主要应用于先进材料研发、精密制造和高端实验室领域，尤其适用于需要精确控温与可控气氛的小批量工艺，例如陶瓷材料与复合材料的烧结、半导体电子元件的真空钎焊、特种合金的热处理，以及高校和科研院所中新材料合成与高温处理相关的前沿实验与技术开发。
管 理 员：冯尚蕾
联系方式：15026791218
邮 箱：fengshanglei@sinap.ac.cn
